STD10NM60N, N-канальный MOSFET транзистор ST Microelectronics, 600В/10А, корпус TO-252 STD10NM60N

Тип MOSFET
Тип проводимости N
Максимальное напряжение сток-исток, В 600
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 10
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 550
Емкость, пФ 550
Заряд затвора, нКл 19
Описание N-Channel 600 V 10A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount DPAK
Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 4 В
Диапазон рабочих температур -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ± 25 В
Мощность рассеиваемая (max) — 70 Вт
Вес брутто 0.56