STB6NK60ZT4, Транзистор полевой N-канальный ST Microelectronics, 600В, 6А, 110Вт, корпус TO-263 (D2PAK) STB6NK60ZT4

Тип MOSFET
Тип проводимости N
Максимальное напряжение сток-исток, В 600
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 6
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 1200
Емкость, пФ 905
Заряд затвора, нКл 46
Описание N-Channel 600 V 6A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 4 В
Диапазон рабочих температур -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ± 30 В
Мощность рассеиваемая (max) — 110 Вт
Вес брутто 2.00