Тип Составной транзистор (Дарлингтона)
Тип проводимости PNP
Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В -100
Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В -100
Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В -5
Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В -4
Максимальный постоянный ток коллектора, А -8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 20
Коэффициент усиления hFE мин. 1000
Коэффициент усиления hFE макс. 20000
Граничная частота ft, МГц 4
Транспортная упаковка: размер/кол-во 41*41*39/10000
Вес брутто 0.53
MJD127T4G JSMSEMI биполярный составной транзистор (Дарлингтона), PNP -100 В, -8 А, TO- 252 (DPAK) MJD127T4G
14 ₽
9700 в наличии
Описание
