Тип MOSFET
Тип проводимости N
Максимальное напряжение сток-исток, В 100
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 10
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 185
Емкость, пФ 440
Заряд затвора, нКл 20
Описание MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC
Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В
Диапазон рабочих температур -55…+175 °С
Время задержки включения/ выключения — 35/ 22 нс
Мощность рассеиваемая (Pd) — 48 Вт
Вес брутто 0.63
IRLR120NTRPBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, N-канальный, 100В, 10А, 39Вт, корпус TO-252-3 IRLR120NTRPBF
33 ₽
Минимальная сумма покупки 10000 рублей. Добавьте ещё 10000 ₽
2550 в наличии
Описание
Артикул: 121664 Категории: ТРАНЗИСТОРЫ, Транзисторы разные