IRFP4668PBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, N-канальный, 200В, 130А, 520Вт, корпус TO-247-3 IRFP4668PBF

Тип MOSFET
Тип проводимости N
Максимальное напряжение сток-исток, В 200
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 130
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 9,7
Емкость, пФ 10720
Заряд затвора, нКл 241
Описание MOSFET MOSFT 200V 130A 9.7mOhm 161nC Qg
Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В
Диапазон рабочих температур -55…+175 °С
Время задержки включения/ выключения — 105/ 74 нс
Ток утечки непрерывный (Id) — 130 А
Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ± 30 В