IRFP260NPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 200В, 50А, 300Вт, 0.04 Ом, корпус TO-247-3 IRFP260NPBF

Тип MOSFET
Тип проводимости N
Максимальное напряжение сток-исток, В 200
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 50
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 40
Описание 200V, 50A N-Channel MOSFET
Напряжение пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В
Диапазон рабочих температур -55…+175 °С
Время задержки включения/ выключения — 17/ 55 нс
Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность рассеиваемая (Pd) — 300 Вт
Вес брутто 7.35
Транспортная упаковка: размер/кол-во 53*44*45/2000