Тип MOSFET
Тип проводимости N
Максимальное напряжение сток-исток, В 400
Емкость, пФ 410
Заряд затвора, нКл 20
Описание MOSFET N-Channel 400 V 490mA
Напряжение пороговое затвора (Vgs th) — 4В
Диапазон рабочих температур -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность рассеиваемая (Pd) — 1 Вт
Вес брутто 0.73
Транспортная упаковка: размер/кол-во 64*56*53/2500
Способ монтажа Through Hole
IRFD320PBF, Полевой N-канальный транзистор, 400В, 0.6А, 1.3Вт, 1.8 Ом, корпус DIP-4 IRFD320PBF
94 ₽
Минимальная сумма покупки 10000 рублей. Добавьте ещё 10000 ₽
1650 в наличии
Описание
Артикул: 121164 Категории: ТРАНЗИСТОРЫ, Транзисторы разные