IRFBG30PBF, N-канальный MOSFET транзистор VISHAY, 1000В, 3.1А, корпус TO-220AB-3 IRFBG30PBF

Тип MOSFET
Тип проводимости N
Максимальное напряжение сток-исток, В 1000
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 5
Емкость, пФ 980
Заряд затвора, нКл 80
Описание MOSFET 1000V N-CH HEXFET
Напряжение пороговое затвора (Vgs th) — 4В
Диапазон рабочих температур -55…+150 °С
Время задержки включения/ выключения — 25/ 29 нс
Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность рассеиваемая (Pd) — 125 Вт
Вес брутто 2.82