IRF8910TRPBF, Транзистор Infineon Technologies, N-MOSFET x2, полевой, 20В, 10А, 2Вт, корпус SOIC-8 IRF8910TRPBF

Тип MOSFET
Тип проводимости 2N
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 10
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 13,4
Емкость, пФ 960
Заряд затвора, нКл 11
Описание Mosfet Array 20V 10A 2W Surface Mount 8-SO
Напряжение пороговое затвора (Vgs th) — 2.55В
Диапазон рабочих температур -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность рассеиваемая (Pd) — 2 Вт
Вес брутто 0.12
Способ монтажа поверхностный (SMT)