IRF8313TRPBF, полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 2 N-канала, 30В, 9.7А, 2Вт, корпус SOIC-8 IRF8313TRPBF

Тип MOSFET
Тип проводимости 2N
Максимальное напряжение сток-исток, В 30
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 9,7
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 12,5
Заряд затвора, нКл 6
Описание 30V, 9.7A 2N-Channel MOSFET
Напряжение пороговое затвора (Vgs th) — 1.8В
Диапазон рабочих температур -55…+175 °С
Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность рассеиваемая (Pd) — 2 Вт
Вес брутто 0.22
Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/4000