Тип MOSFET
Тип проводимости 2N
Максимальное напряжение сток-исток, В 55
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 4,7
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 43
Заряд затвора, нКл 24
Описание 55V, 4.7A 2N-Channel MOSFET
Напряжение пороговое затвора (Vgs th) — 1В
Диапазон рабочих температур -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность рассеиваемая (Pd) — 2 Вт
Вес брутто 0.24
Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*36/4000
IRF7341TRPBF, транзистор Infineon Technologies полевой кремниевый, 2N-канала, 55 В, 4.7 А, 2 Вт, корпус SOIC-8 IRF7341TRPBF
33 ₽
Минимальная сумма покупки 10000 рублей. Добавьте ещё 10000 ₽
3615 в наличии
Описание
Артикул: 113145 Категории: ТРАНЗИСТОРЫ, Транзисторы разные