Тип MOSFET
Тип проводимости 2P
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 4,9
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 58
Емкость, пФ 710
Заряд затвора, нКл 34
Описание Mosfet Array 30V 4.9A 2W Surface Mount 8-SO
Напряжение пороговое затвора (Vgs th) — 1В
Диапазон рабочих температур -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность рассеиваемая (Pd) — 2 Вт
Вес брутто 0.23
Способ монтажа поверхностный (SMT)
IRF7316TRPBF, Транзистор Infineon Technologies, HEXFET, 2 P-канала, 30В, 4.9А, корпус SOIC-8 IRF7316TRPBF
49 ₽
1725 в наличии
Описание
