IRF7309TRPBF, Сборка из полевых N и P-канальных транзисторов Infineon Technologies, 30 В, 4А(N- канал)/3А(P-канал), 1.4 Вт, 0.05 Ом/ 0.1 Ом, корпус SOIC-8 IRF7309TRPBF

Тип MOSFET
Тип проводимости N+P
Максимальное напряжение сток-исток, В 30 / -30
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 4 / -3
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 50 / 100
Заряд затвора, нКл 25
Описание 30V, 3A P-Channel and 4A N-Channel MOSFET
Напряжение пороговое затвора (Vgs th) — 1В
Диапазон рабочих температур -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность рассеиваемая (Pd) — 1.4 Вт
Вес брутто 0.23
Способ монтажа поверхностный (SMT)