Тип MOSFET
Тип проводимости N
Описание MOSFET 400V N-CH HEXFET
Напряжение пороговое затвора (Vgs th) — 4В
Диапазон рабочих температур -55…+150 °С
Мощность рассеиваемая (Pd) — 36 Вт
Вес брутто 2.81
Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*50*50/2000
Способ монтажа Through Hole
Корпус TO-220
Упаковка TUBE, 50 шт.
Просмотр корзины Вы отложили “2SC4793 JSMSEMI биполярный транзистор NPN, 230 В, 1 А, TO-220F 2SC4793” в свою корзину.
IRF710PBF, Транзистор полевой VISHAY, N-канальный, 400В, 2А, 36Вт, корпус TO-220-3 IRF710PBF
59 ₽
Минимальная сумма покупки 10000 рублей. Добавьте ещё 9978 ₽
1975 в наличии
Описание
Артикул: 121141 Категории: ТРАНЗИСТОРЫ, Транзисторы разные