IRF7103TRPBF, Сборка из полевых транзисторов Infineon Technologies, 2N-канальный, 50 В, 3 А, 2 Вт, корпус SOIC-8 IRF7103TRPBF

Тип MOSFET
Тип проводимости N
Максимальное напряжение сток-исток, В 50
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 3
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 130
Емкость, пФ 290
Заряд затвора, нКл 30
Описание MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Напряжение пороговое затвора (Vgs th) — 3В
Диапазон рабочих температур -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность рассеиваемая (Pd) — 2 Вт
Вес брутто 0.22