IRF5210STRLPBF, Транзистор полевой P-канальный Infineon Technologies, 100В, 38A, корпус TO-263-3 IRF5210STRLPBF

Тип MOSFET
Тип проводимости P
Максимальное напряжение сток-исток, В -100
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -38
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 60
Емкость, пФ 2780
Заряд затвора, нКл 230
Описание MOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC
Напряжение пороговое затвора (Vgs th) — 2В
Диапазон рабочих температур -55…+150 °С
Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность рассеиваемая (Pd) — 3,8 Вт
Вес брутто 2.30