IPD70R900P7SAUMA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный Infineon Technologies, 700В, 6A, корпус TO-252-3 IPD70R900P7SAUMA1

Тип MOSFET
Тип проводимости N
Максимальное напряжение сток-исток, В 700
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 6
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 900
Емкость, пФ 211
Заряд затвора, нКл 6,8
Описание MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3
Напряжение пороговое затвора (Vgs th) — 3,5 В
Диапазон рабочих температур -40…+150 °С
Время задержки включения/ выключения — 58/ 12 нс
Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ± 16 В
Мощность рассеиваемая (Pd) — 30,5 Вт