IPD122N10N3GATMA1, Транзистор полевой N-канальный силовой Infineon Technologies, 100В, 12.2мОм, 26нКл, серия OPTIMOS, корпус TO-252-3 IPD122N10N3GATMA1

Тип MOSFET
Тип проводимости N
Максимальное напряжение сток-исток, В 100
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 12,2
Емкость, пФ 2500
Заряд затвора, нКл 26
Описание MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Напряжение пороговое затвора (Vgs th) — 3,5 В
Диапазон рабочих температур -55…+175 °С
Время задержки включения/ выключения — 24/ 14 нс
Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощность рассеиваемая (Pd) — 94 Вт
Вес брутто 0.55