IKW50N65ES5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 650В, 80А, 274Вт, корпус TO-247-3 IKW50N65ES5XKSA1

Тип IGBT
Описание IGBT Trench 650 V 80 A 274 W Through Hole PG-TO247-3
Диапазон рабочих температур -40…+175 °С
Мощность рассеиваемая (Pd) — 274 Вт
Вес брутто 8.50
Способ монтажа Through Hole
Корпус TO-247
Упаковка TUBE, 30 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1