Тип IGBT транзистор
Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В 650
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 250
Корпус TO-220
Упаковка 50
Вес брутто 3.00
MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1
Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*40*40/150
IKP40N65H5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 650В, 74А, 255Вт, корпус PG-TO220-3 IKP40N65H5XKSA1
403 ₽
148 в наличии
Описание
