Тип IGBT транзистор
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 250
Вес брутто 3.00
Транспортная упаковка: размер/кол-во 60*40*40/150
Корпус TO-220
Упаковка 50
MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1
Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В 650
IKP40N65H5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 650 В, 74 А, 255 Вт, корпус PG-TO220-3 IKP40N65H5XKSA1
535 ₽
140 в наличии
Описание
