IKA10N60TXKSA1, биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) Infineon Technologies, 11.7A, 600В, 30Вт, корпус TO-220-3 Full Pack IKA10N60TXKSA1

Тип IGBT
Описание 600V, 11.7A, 30W IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor)
Максимальный ток коллектора (Iк max) — 11,7 А
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер — 1.5 V
Диапазон рабочих температур -40…+175 °С
Время задержки включения/ выключения — 12/ 215 нс
Ток утечки затвор-эмиттер — 100 nA
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) — 600 V; напряжение затвор-эмиттер — 20 V
Мощность рассеиваемая (Pd) — 30 Вт
Вес брутто 2.16
Способ монтажа Through Hole
Корпус TO-220F
Упаковка TUBE, 50 шт.