HXY80N06D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 80 А, 8 мОм, 33 нКл, TO-252 (DPAK) HXY80N06D

Тип MOSFET
Тип проводимости N
Максимальное напряжение сток-исток, В 60
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 80
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 8
Емкость, пФ 2680
Заряд затвора, нКл 33
Диапазон рабочих температур -55…+150 °С
Вес брутто 0.55
Способ монтажа поверхностный (SMT)
Корпус TO-252 (DPAK)
Упаковка REEL, 2500 шт.