HXY7N65D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 650 В, 7 А, 1.4 Ом, 24 нКл, TO-252 (DPAK) HXY7N65D

Тип MOSFET
Тип проводимости N
Максимальное напряжение сток-исток, В 650
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 7
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 1400
Емкость, пФ 1130
Заряд затвора, нКл 24
Диапазон рабочих температур -45…+125 °С
Вес брутто 0.56
Способ монтажа поверхностный (SMT)
Корпус TO-252 (DPAK)
Упаковка REEL, 2500 шт.