HXY5N50D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 500 В, 5 А, 1.8 Ом, 13 нКл, TO-252 (DPAK) HXY5N50D

Тип MOSFET
Тип проводимости N
Максимальное напряжение сток-исток, В 500
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 5
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 1800
Емкость, пФ 415
Заряд затвора, нКл 13
Диапазон рабочих температур -55…+150 °С
Вес брутто 0.58
Способ монтажа поверхностный (SMT)
Корпус TO-252 (DPAK)
Упаковка REEL, 2500 шт.