FDN5630 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 3 А, 85 мОм, SOT-23 FDN5630

Тип MOSFET
Тип проводимости N
Максимальное напряжение сток-исток, В 60
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 3
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 85
Емкость, пФ 510
Заряд затвора, нКл 7,5
Диапазон рабочих температур -55…+150 °С
Вес брутто 0.05
Транспортная упаковка: размер/кол-во 41*41*22/9000
Способ монтажа поверхностный (SMT)
Корпус SOT-23
Упаковка REEL, 3000 шт.