FDN5618P HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -2 А, 80 мОм, SOT-23 FDN5618P

Тип MOSFET
Тип проводимости P
Максимальное напряжение сток-исток, В -60
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А -2
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 160
Емкость, пФ 444
Заряд затвора, нКл 11,3
Диапазон рабочих температур -55…+150 °С
Вес брутто 0.05
Транспортная упаковка: размер/кол-во 41*41*22/9000
Способ монтажа поверхностный (SMT)
Корпус SOT-23
Упаковка REEL, 3000 шт.