Конфигурация p-n-p
Ток обратный: 0,1 мкА
Мощность постоянная рассеиваемая: 100 мВт
Напряжение эмиттер-база пробивное: 31 В
Рабочая температура -60…+125 °С
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: 100 Ом