2N7002DW, полевой транзистор (MOSFET) HXY, N+N-канал, 60 В, 115 мА, 3 Ом, корпус SOT-363 2N7002DW

Тип MOSFET
Тип проводимости N+N
Максимальное напряжение сток-исток, В 60
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 0,115
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 3000
Емкость, пФ 50
Диапазон рабочих температур -55…+150 °С
Вес брутто 0.05
Транспортная упаковка: размер/кол-во 40*40*21/12000
Способ монтажа поверхностный (SMT)
Корпус SOT-363
Упаковка REEL, 3000 шт.