1N60G, полевой транзистор (MOSFET) HXY, N-канал, 600 В, 1 А, 12 Ом, 4 нКл, корпус SOT-223 1N60G

Тип MOSFET
Тип проводимости N
Максимальное напряжение сток-исток, В 600
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 1
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 12000
Емкость, пФ 119
Заряд затвора, нКл 4
Диапазон рабочих температур -55…+150 °С
Вес брутто 0.22
Транспортная упаковка: размер/кол-во 40*40*21/4000
Способ монтажа поверхностный (SMT)
Корпус SOT-223
Упаковка REEL, 4000 шт.