Отображение 281–320 из 908

Фильтры
В корзину
Посмотреть
Добавить в избранное

HXY80N03D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 80 А, 6.8 мОм, 11.1 нКл, TO-252 (DPAK) HXY80N03D

HXY
Артикул: 124793
9 ₽
В корзину
Посмотреть
Добавить в избранное

HXY80N06D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 80 А, 8 мОм, 33 нКл, TO-252 (DPAK) HXY80N06D

HXY
Артикул: 123207
21 ₽
В корзину
Посмотреть
Добавить в избранное

IGW30N60H3FKSA1

Infineon Technologies
Артикул: 126412
520 ₽
В корзину
Посмотреть
Добавить в избранное

IGW30N60H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 600В, 60А, 187Вт, корпус TO-247-3 IGW30N60H3FKSA1

Infineon Technologies
Артикул: 126412
474 ₽
В корзину
Посмотреть
Добавить в избранное

IKA10N60TXKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 11.7A, 600В, 30Вт, корпус TO-220-3 Full Pack IKA10N60TXKSA1

Infineon Technologies
Артикул: 113161
124 ₽
В корзину
Посмотреть
Добавить в избранное

IKA10N60TXKSA1, биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) Infineon Technologies, 11.7A, 600В, 30Вт, корпус TO-220-3 Full Pack IKA10N60TXKSA1

Infineon Technologies
Артикул: 113161
127 ₽
В корзину
Посмотреть
Добавить в избранное

IKA10N60TXKSA1, биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) Infineon Technologies IKA10N60TXKSA1

Infineon Technologies
Артикул: 113161
120 ₽
В корзину
Посмотреть
Добавить в избранное

IKP40N65H5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 650 В, 74 А, 255 Вт, корпус PG-TO220-3 IKP40N65H5XKSA1

Infineon Technologies
Артикул: 122118
443 ₽
В корзину
Посмотреть
Добавить в избранное

IKW25N120H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 50 А, 326 Вт, корпус TO-247-3 IKW25N120H3FKSA1

Infineon Technologies
Артикул: 121646
241 ₽
В корзину
Посмотреть
Добавить в избранное

IKW25N120H3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT Infineon Technologies, 1200 В, 50 А, 326 Вт, корпус TO-247-3 IKW25N120H3FKSA1

Infineon Technologies
Артикул: 121646
274 ₽
В корзину
Посмотреть
Добавить в избранное

IKW30N60DTPXKSA1

Infineon Technologies
Артикул: 126452
373 ₽
В корзину
Посмотреть
Добавить в избранное

IKW30N60DTPXKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies , 600В, 30А, 200Вт, корпус TO-247-3 IKW30N60DTPXKSA1

Infineon Technologies
Артикул: 126452
340 ₽
В корзину
Посмотреть
Добавить в избранное

IKW30N65H5XKSA1

Infineon Technologies
Артикул: 126411
252 ₽
В корзину
Посмотреть
Добавить в избранное

IKW30N65H5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 55А,1.65В,188Вт, 650В, TO-247-3 IKW30N65H5XKSA1

Infineon Technologies
Артикул: 126411
230 ₽
В корзину
Посмотреть
Добавить в избранное

IKW40N120H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 80 А, 483 Вт, корпус TO-247-3 IKW40N120H3FKSA1

Infineon Technologies
Артикул: 126140
305 ₽
В корзину
Посмотреть
Добавить в избранное

IKW40N120T2FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 75 А, 480 Вт, корпус TO-247-3 IKW40N120T2FKSA1

Infineon Technologies
Артикул: 126147
368 ₽
В корзину
Посмотреть
Добавить в избранное

IKW40N65ES5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 650В, 40А, 230Вт, корпус TO-247-3 IKW40N65ES5XKSA1

Infineon Technologies
Артикул: 121687
141 ₽
В корзину
Посмотреть
Добавить в избранное

IKW40N65ES5XKSA1, БТИЗ транзистор Infineon Technologies, 79 А, 1.35 В, 230 Вт, 650 В, корпус TO-247 IKW40N65ES5XKSA1

Infineon Technologies
Артикул: 121687
159 ₽
В корзину
Посмотреть
Добавить в избранное

IKW50N60DTPXKSA1

Infineon Technologies
Артикул: 126410
289 ₽
В корзину
Посмотреть
Добавить в избранное

IKW50N60DTPXKSA1, Высокоскоростной IGBT Infineon Technologies, 600В, 80А, 319.2Вт корпус TO-247-3 IKW50N60DTPXKSA1

Infineon Technologies
Артикул: 126410
300 ₽
В корзину
Посмотреть
Добавить в избранное

IKW50N60DTPXKSA1, Высокоскоростной IGBT транзистор Infineon Technologies, 600В, 80А, 319.2Вт корпус TO-247-3 IKW50N60DTPXKSA1

Infineon Technologies
Артикул: 126410
273 ₽
В корзину
Посмотреть
Добавить в избранное

IKW50N60H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 600 В, 100 А, 333 Вт, корпус TO-247-3 IKW50N60H3FKSA1

Infineon Technologies
Артикул: 126158
230 ₽
В корзину
Посмотреть
Добавить в избранное

IKW50N65ES5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 650В, 80А, 274Вт, корпус TO-247-3 IKW50N65ES5XKSA1

Infineon Technologies
Артикул: 121647
374 ₽
В корзину
Посмотреть
Добавить в избранное

IKW50N65ES5XKSA1, Биполярный транзистор IGBT Infineon Technologies, 650В, 80А, 274Вт, корпус TO-247-3 IKW50N65ES5XKSA1

Infineon Technologies
Артикул: 121647
425 ₽
В корзину
Посмотреть
Добавить в избранное

IPB010N06NATMA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 60В, 180A, корпус TO-263-7(D2PAK) IPB010N06NATMA1

Infineon Technologies
Артикул: 122177
583 ₽
В корзину
Посмотреть
Добавить в избранное

IPB107N20N3G TO263-3 (RP)

Infineon Technologies
Артикул: 117987
247 ₽
В корзину
Посмотреть
Добавить в избранное

IPB107N20N3GATMA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 200В, 88A, 300Вт, корпус TO-263 (D2PAK) IPB107N20N3GATMA1

Infineon Technologies
Артикул: 113112
364 ₽
В корзину
Посмотреть
Добавить в избранное

IPB107N20N3GATMA1, транзистор полевой кремниевый N-канальный 200В 88A 300Вт Infineon Technologies IPB107N20N3GATMA1

Infineon Technologies
Артикул: 113112
372 ₽
В корзину
Посмотреть
Добавить в избранное

IPD068P03L3G HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -80 А, 8.8 мОм, 45 нКл, TO-252 (DPAK) IPD068P03

HXY
Артикул: 123847
49 ₽
В корзину
Посмотреть
Добавить в избранное

IPD122N10N3GATMA1, Транзистор полевой N-канальный силовой Infineon Technologies, 100В, 12.2мОм, 26нКл, серия OPTIMOS, корпус TO-252-3 IPD122N10N3GATMA1

Infineon Technologies
Артикул: 121612
100 ₽
В корзину
Посмотреть
Добавить в избранное

IPD35N10S3L26ATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1

Infineon Technologies
Артикул: 126409
76 ₽
В корзину
Посмотреть
Добавить в избранное

IPD35N10S3L26ATMA1, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 35A,100В, корпус TO-252-3(DPAK) IPD35N10S3L26ATMA1

Infineon Technologies
Артикул: 126409
69 ₽
В корзину
Посмотреть
Добавить в избранное

IPD65R400CEAUMA1 IPD65R400CEAUMA1

Infineon Technologies
Артикул: 126134
80 ₽
В корзину
Посмотреть
Добавить в избранное

IPD65R400CEAUMA1, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 700В, 15.1A, корпус TO-252-3(DPAK) IPD65R400CEAUMA1

Infineon Technologies
Артикул: 126134
72 ₽
В корзину
Посмотреть
Добавить в избранное

IPD70R900P7SAUMA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный Infineon Technologies, 700В, 6A, корпус TO-252-3 IPD70R900P7SAUMA1

Infineon Technologies
Артикул: 121613
46 ₽
В корзину
Посмотреть
Добавить в избранное

IPD70R900P7SAUMA1, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 700В, 6A, корпус TO-252-3(DPAK) IPD70R900P7SAUMA1

Infineon Technologies
Артикул: 121613
40 ₽
В корзину
Посмотреть
Добавить в избранное

IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1

Infineon Technologies
Артикул: 126137
382 ₽
В корзину
Посмотреть
Добавить в избранное

IPP110N20N3GXKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 200В, 88A, корпус TO-220-3 IPP110N20N3GXKSA1

Infineon Technologies
Артикул: 126137
348 ₽
В корзину
Посмотреть
Добавить в избранное

IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1

Infineon Technologies
Артикул: 126152
252 ₽
В корзину
Посмотреть
Добавить в избранное

IPT007N06NATMA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 60В, 300A, корпус HSOF-8 IPT007N06NATMA1

Infineon Technologies
Артикул: 126152
230 ₽